连日来，各地区各部门各单位把开展学习教育作为重要政治任务，深入学习贯彻习近平总书记重要讲话和重要指示精神，认真落实党中央部署，精心组织实施，确保学习教育取得实效。
Андрей Ставицкий (Редактор отдела «Наука и техника»)
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在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。